Институту сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН - 15 лет

Новости

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук в 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны – Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела.  

В.Г. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института еще 30 лет назад: в 1983 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН.  

Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники. 

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире. 

Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора – заместителя директора по НИОКР Ю.В. Федорова. 

Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России. 

Федеральное агентство научных организаций поздравляет коллектив ИСВЧПЭ РАН с 15-летием и желает крепкого здоровья, больших творческих успехов в решении научных задач в сфере СВЧ электроники!

Дата публикации: 20.04.2017 14:38
Дата последнего изменения: 20.04.2017 14:38